Samsung ha anunciado las nuevas memorias DRAM GDDR6 que llevará a las tarjetas gráficas de siguiente generación, con capacidad para alcanzar velocidades de procesamiento de 24Gbps, y fabricadas con un proceso de 10 nanómetros.
La nueva memoria DRAM de Samsung está fabricada con un proceso de 10 nanómetros de tercera generación, con tecnología ultravioleta extrema (EUV), con lo que la compañía busca ofrecer un avance en el rendimiento del procesamiento gráfico. Se trata de «la primera» GDDR6 de 16 gigabit capaz de alcanzar velocidades de procesamiento de 24Gbps, mejorando la velocidad en un 30 por ciento respecto a las memorias de 18Gbps, según ha destacado la compañía en un comunicado.
La memoria DRAM GDDR6 está diseñada para integrarse en las tarjetas gráficas de siguiente generación de gama alta, tanto de ordenadores portátiles y videoconsolas como de sistemas de computación de alto rendimiento. En estos casos, Samsung señala que puede realizar transferencias de datos de hasta 1,1TB en un segundo. Junto a la memoria DRAM GDDR6 de 24Gbps, la compañía también lanzará versiones de 20Gbps y 16Gbps.
